硅基薄膜太阳能电池是一种新型薄膜电池，不同于传统晶体硅电池，其具有：材料和制造成本低、具备弱发光性能、受环境损耗小、发电时间长的特点。随着太阳能技术发展和国际硅原材料持续紧张的背景下，薄膜太阳能电池已成为国际光伏市场发展的新趋势和新热点。
硅基薄膜太阳能电池既是一种高效能源产品，又是一种新型建筑材料，可应用于边远无电地区、交通领域、通讯/通信领域、家庭灯具电源、太阳能建筑等。
1．利用LPCVD方法和自扩散技术生长多晶硅p-n结，结合层转移技术制备多晶硅薄膜太阳能电池； 2．采用金属诱导晶化和快速热处理技术实现优质多晶硅薄膜的制备并在低温下制备太阳能电池； 3．在PECVD和HWCVD生长硅薄膜时，通过生长温度，气体流量，氢气稀释比，腔室气压等参数实现微晶硅或者纳米晶薄膜的生长； 4．采用双层膜技术减小表面处入射光的反射并实现表面钝化，提高入射光的收集率和少数载流子寿命； 5．采用高低结结构增加光生载流子的收集效率； 6．采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备，扩展电池的光谱收集范围，提高电池的转换效率。
申请发明专利5项，发表科研论文20余篇。
